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IXGH38N60U1

Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ?IGBTandanti-parallelFREDinone package ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

IXYS

IXYS Corporation

IXGH38N60U1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH38N60U1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,38A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 76A 200W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
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TO-251
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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公司只做原裝正品
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TO247AD (IXGH)
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IXYS/艾賽斯
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TO-3P
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更多IXGH38N60U1供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 9:24:00