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AWCCA-50N50	文件：1.18956 Mbytes Page：2 Pages	WirelessChargingCoilAssembly	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
FDA50N50	文件：276.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDA50N50	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDA50N50	文件：1.29832 Mbytes Page：3 Pages	50Ampere,500VoltN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
FDA50N50	文件：497.93 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?48A,500V,RDS(on)=0.105Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical105nC) ?LowCrss(typical45pF) ?Fastswitchin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDA50N50	文件：222.62 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDH50N50	文件：222.62 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDH50N50	文件：299.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDH50N50	文件：1.20397 Mbytes Page：3 Pages	50Ampere,500VoltN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IXFE50N50	文件：655.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features ?Lowcostdirect-copperbondedaluminiumpackage ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?2500Visolation ?Lowdraintocasecapacitance ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK50N50	文件：327.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK50N50	文件：121.87 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET?PowerMOSFET SingleDieMOSFET Features ?Internationalstandardpackages ?Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification ?miniBLOCwithAluminiumnitride isolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Unc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFQ50N50	文件：311.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=125mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFR50N50	文件：84.72 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFETsISOPLUS247-TM HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleDieMOSFET Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX50N50	文件：366.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX50N50	文件：94.62 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MTE50N50	文件：391.54 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTORN-CHANNELENHANCEMENTMODESILICONGATETMOS	Motorola Motorola, Inc	Motorola

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXGH50N50BS
功能描述：
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXGH50N60		24+		8866		詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IXGH50N60	IXYS/艾賽斯	21+	TO247	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IXGH50N60		IXYS	TO247	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市特萊科技有限公司	IXGH50N60	IXYS/艾賽斯	24+23+	TO247	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	IXGH50N60	IXYS/艾賽斯	23+	NA/	17138	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票	詢價(jià)
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