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IXGH32N60BU1

HiPerFAST IGBT with Diode

Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-247SMD ?HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?NewestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdri

IXYS

IXYS Corporation

IXGH32N60BU1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 60A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGH32N60BU1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,32A

  • 開關(guān)能量:

    600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    25ns/100ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,32A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 200W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXGH32N60BU1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 15:30:00