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NGTB25N120IHLWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB25N120IHLWG
廠商型號

NGTB25N120IHLWG
參數(shù)屬性

NGTB25N120IHLWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 50A TO247
功能描述

Incorporated into the device is a rugged co??ackaged free wheeling diode with a low forward voltage.
IGBT 1200V 50A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

175.61 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-6 15:30:00

NGTB25N120IHLWG規(guī)格書詳情

NGTB25N120IHLWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB25N120IHLWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB25N120IHLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，25A

  • 開關(guān)能量：

    800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/235ns

  • 測試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONS
2018+
TO-247
26976
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 詢價
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
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 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
ON(安森美)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
 詢價
ON Semiconductor
23+
TO247
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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ON/安森美
2021+
TO-247
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ON Semiconductor
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ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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ONSEMI
23+
IGBT
5864
原裝原標(biāo)原盒 給價就出 全網(wǎng)最低
 詢價
ON/安森美
23+
TO-247-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價

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