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NGTB25N120FL3WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGTB25N120FL3WG
廠商型號(hào)

NGTB25N120FL3WG

參數(shù)屬性

NGTB25N120FL3WG 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 100A TO247

功能描述

IGBT - Ultra Field Stop
IGBT 1200V 100A TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

300.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 10:18:00

NGTB25N120FL3WG規(guī)格書(shū)詳情

NGTB25N120FL3WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB25N120FL3WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and

cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides

superior performance in demanding switching applications, offering

both low on?state voltage and minimal switching loss. The IGBT is

well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device

is a soft and fast co?packaged free wheeling diode with a low forward

voltage.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? TJmax = 175°C

? Soft Fast Reverse Recovery Diode

? Optimized for High Speed Switching

? These are Pb?Free Devices

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB25N120FL3WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1mJ(開(kāi)),700μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    15ns/109ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
2410+
TO247
20000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
詢價(jià)
ON Semiconductor
2010+
N/A
459
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詢價(jià)
onsemi
21+
TO-247-3
240
保證原裝正品 深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-247
29403
原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) 價(jià)格美麗 假一罰十
詢價(jià)
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量
詢價(jià)
onsemi
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
ONSEMI
21+
TO-247-3
20000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅
詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價(jià)
24+
N/A
58000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢價(jià)
ON
21+
TO247
3559
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
詢價(jià)