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NGTB20N120IHLWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB20N120IHLWG
廠商型號

NGTB20N120IHLWG

參數(shù)屬性

NGTB20N120IHLWG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

功能描述

Incorporated into the device is a rugged co??ackaged free wheeling diode with a low forward voltage.
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

文件大小

175.53 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-28 19:29:00

NGTB20N120IHLWG規(guī)格書詳情

NGTB20N120IHLWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB20N120IHLWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB20N120IHLWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    700μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/235ns

  • 測試條件:

    600V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價
ON/安森美
1936
TO247
15
1936
詢價
ON(安森美)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價
ON
TO-247
899933
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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2018+
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