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NGTB10N60R2DT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGTB10N60R2DT4G
廠商型號(hào)

NGTB10N60R2DT4G
參數(shù)屬性

NGTB10N60R2DT4G 封裝/外殼為T(mén)O-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A DPAK
功能描述

IGBT 600V, 10A, N-Channel
IGBT 600V 20A DPAK
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

531.76 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-10 16:22:00

NGTB10N60R2DT4G規(guī)格書(shū)詳情

NGTB10N60R2DT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB10N60R2DT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    412μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    48ns/120ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 20A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
23+
DPAK
12800
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO-252
31838
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13個(gè)點(diǎn)稅
 詢價(jià)
ON
23+
DPAK
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO-252
9000
原裝正品
 詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
DPAK
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO252
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價(jià)
ON(安森美)
6000
詢價(jià)
ON/安森美
21+
TO252
1709
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-252-2(DPAK)
8080
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量
 詢價(jià)

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