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NGTB03N60R2DT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB03N60R2DT4G
廠商型號

NGTB03N60R2DT4G

參數(shù)屬性

NGTB03N60R2DT4G 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 9A 600V DPAK

功能描述

IGBT 600V, 4.5A, N-Channel
IGBT 9A 600V DPAK

絲印標(biāo)識

GTB0360RG

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

598.12 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 23:00:00

NGTB03N60R2DT4G規(guī)格書詳情

NGTB03N60R2DT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB03N60R2DT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? Reverse Conducting II IGBT

? IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V]

? IGBT tf=75ns (typ)

??Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A]

??Diode trr=65ns (typ)

??5?s Short Circuit Capability

Applications

? General Purpose Inverter

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB03N60R2DT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    50μJ(開),27μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    27ns/59ns

  • 測試條件:

    300V,3A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 9A 600V DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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