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NGTB03N60R2DT4G

Marking：GTB0360RG；Package：DPAK；IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

Features ?ReverseConductingIIIGBT ?IGBTVCE(sat)=1.7V(typ)[IC=3A,VGE=15V] ?IGBTtf=75ns(typ) ??DiodeVF=1.5V(typ)[IF=3A] ??Diodetrr=65ns(typ) ??5?sShortCircuitCapability Applications ?GeneralPurposeInverter

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB03N60R2DT4G

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 9A 600V DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產品屬性

  • 產品編號：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，3A

  • 開關能量：

    50μJ（開），27μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    27ns/59ns

  • 測試條件：

    300V，3A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 9A 600V DPAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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TO-252
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更多NGTB03N60R2DT4G供應商 更新時間2025-3-13 23:00:00

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