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NGTG30N60FWG

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG30N60FWG

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 60A 167W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RLFGB30N60CT

IGBT

Features ?600V,30A ?VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswi

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLGB30N60CT

IGBT

Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLPGB30N60CT

IGBT

Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB30N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGH30N60RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGH30N60RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGP30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60HS

HIGHTSPEEDIGBTCHIPINNPT-TECHNOLOGY

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIHA30N60AEL

ELSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTG30N60FWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    650μJ(開),650μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    81ns/190ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 167W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價(jià)
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只做原裝正品
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ON Semiconductor
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ON(安森美)
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ON/安森美
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ON/安森美
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TO-247
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
更多NGTG30N60FWG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 8:12:00