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NGTG30N60FWG分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NGTG30N60FWG |
參數(shù)屬性 | NGTG30N60FWG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 167W TO247 |
功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
文件大小 |
175.33 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-17 15:41:00 |
NGTG30N60FWG規(guī)格書詳情
NGTG30N60FWG屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGTG30N60FWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NGTG30N60FWG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,30A
- 開關能量:
650μJ(開),650μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
81ns/190ns
- 測試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 60A 167W TO247
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
TO-247 |
90000 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
onsemi |
24+ |
TO-247-3 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247 |
8080 |
只做原裝,質量保證 |
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onsemi/安森美 |
新批次 |
TO-247 |
4500 |
詢價 | |||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價 | ||||
ON(安森美) |
2112+ |
TO-247 |
105000 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
21000 |
原廠原包裝。假一罰十??砷_13%增值稅發(fā)票。 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
12000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 |