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NGTB20N135IHRWG

Monolithic Free Wheeling Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N135IHRWG

IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N135IHRWG

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB20N135IHRWG_17

Monolithic Free Wheeling Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

GT20N135SRA

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSIG20N135H

AdvancedTrench-FSProcessTechnology

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司

TGAN20N135FD

FieldStopTrenchIGBT

Features ?1350VFieldStopTrenchTechnology ?HighSpeedSwitching ?LowConductionLoss ?PositiveTemperatureCoefficient ?EasyParallelOperation ?RoHSCompliant ?JEDECQualification Applications InductionHeating,SoftSwitchingApplication,UPS,Welder,Inverter

TRinno

TRinno Technology Co., Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB20N135IHRWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.65V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    600μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/245ns

  • 測試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多NGTB20N135IHRWG供應(yīng)商 更新時間2025-5-17 8:12:00

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