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NGTB40N120IHRWG

IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB40N120IHRWG

Package：TO-247-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 80A 384W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB40N120LWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB40N120SWG

IGBT-InverterWelding

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RLPGB40N120CT

N-CHANNELIGBT

APPLICATIONS ?Welding ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?RoHSproduct

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLTPGB40N120CT

TrenchandField-stoptechnology

Features TrenchandField-stoptechnology Lowcollectortoemittersaturationvoltage OptimizedforFastSwitching Easyparallelswitchingcapability Shortcircuitwithstandstime-10μs Applications UninterruptiblePowerSupply InductionHeating Electricweldingmachine

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SCM40N120PCT

1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET

Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SCM40N120PS

1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET

Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

STGW40N120KD

40A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TRS40N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=108nC(typ.) (4)Lowreversecurr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB40N120IHRWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.55V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    950μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/230ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 80A 384W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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更多NGTB40N120IHRWG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-8 8:12:00

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