首頁(yè)>NGTB03N60R2DT4G>詳情

NGTB03N60R2DT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ON/安森美

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    1219

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2010+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-10-25 10:18:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NGTB03N60R2DT4G品牌：ON Semiconductor

加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物

  • 芯片型號(hào)：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    598.12 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，3A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    50μJ（開(kāi)），27μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    27ns/59ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，3A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 9A 600V DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇欣科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    137-5109-0307

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    137-5109-0307/0755-83946758

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號(hào)403

相近型號(hào)