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IXSH30N60U1

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiodeCombiPacksShortCircuitSOACapability

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode CombiPacks ShortCircuitSOACapability Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?HighfrequencyIGBTwithguaranteedShortCircuitSOAcapability ?IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ?2ndgenerationHDMOSTM

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IXGH30N60U1

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Amps 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXGH30N60U1
88
88
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IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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IXYS
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TO247AD (IXGH)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
更多IXGH30N60U1供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 16:20:00