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IXGP12N100AU1

IGBT - Combi Pack

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?IGBTwithantiparallelFREDinonepackage ?SecondgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100AU1

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

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IXYS Corporation

IXGA12N100AU1

IGBT-CombiPack

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?IGBTwithantiparallelFREDinonepackage ?SecondgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(

IXYS

IXYS Corporation

IXGH12N100AU1

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode

Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Voltageratingguaranteedathightemperature(125C) Applicati

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGP12N100AU1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    100ns/850ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,12A,120 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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NA
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IXYS/艾賽斯
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IXGP12N100AU1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 9:02:00