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IXGP28N120B

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGP28N120B

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO220

IXYS

IXYS Corporation

IXGH28N120B

HighVoltageIGBT

Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita

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IXGQ28N120B

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackage ?IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ?Savesspace(two

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IXYS Corporation

IXGT28N120B

HighVoltageIGBT

Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGP28N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，28A

  • 開關(guān)能量：

    2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/180ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，28A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 250W TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TO220AB
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原裝正品，支持實(shí)單
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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TO-220-3
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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更多IXGP28N120B供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 10:18:00

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