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IXGT28N120B

High Voltage IGBT

Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita

IXYS

IXYS Corporation

IXGT28N120B

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO268

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IXGT28N120BD1

High Voltage IGBT w/ Diode

Features ●InternationalStandardPackages JEDECTO-247AD&TO-268 ●IGBTandAnti-ParallelFREDforResonantPowerSupplies -InductionHeating -RiceCookers ●MOSGateTurn-On ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -SoftRecoverywithLowIRM Advantages ●SavesS

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IXGH28N120B

HighVoltageIGBT

Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita

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IXGP28N120B

HighVoltageIGBT

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IXYS Corporation

IXGQ28N120B

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackage ?IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ?Savesspace(two

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT28N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，28A

  • 開關(guān)能量：

    2.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/210ns

  • 測試條件：

    960V，28A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 250W TO268

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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公司只做原裝正品
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13880
公司只售原裝,支持實單
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原裝正品，支持實單
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2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXGT28N120B供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 15:30:00

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