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IXGT60N60C3D1

GenX3 600V IGBTs with Diode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFreque

IXYS

IXYS Corporation

IXGH60N60C3D1

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH60N60C3D1

GenX3600VIGBTswithDiode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFreque

IXYS

IXYS Corporation

IXGR60N60C3D1

HighSpeedPTIGBTfor40-100kHzSwitching

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXGT60N60C3D1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 60 Amps 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXGT60N60C3D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 10:18:00

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