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IXGQ35N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

IXYS

IXYS Corporation

IXGQ35N120BD1

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 75A 400W TO3P

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IXGK35N120BD1

HiPerFASTIGBT

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IXGR35N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

HighVoltageIGBTwithDiode(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features ?SiliconchiponDCBsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?IGBTandanti-parallelFREDforresonantpowersupplies -Inductionheating -R

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IXGX35N120BD1

HiPerFASTIGBT

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IXSK35N120BD1

HIGHVOLTAGEIGBTWITHDIODE

HighVoltageIGBTwithDiode ShortCircuitSOACapability Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchopper ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies

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IXSR35N120BD1

IGBTwithDiodeISOPLUS247(ElectricallyIsolatedBackside)

ShortCircuitSOACapability Features ●DCBIsolatedmountingtab ●MeetsTO-247ADpackageoutline ●Highcurrenthandlingcapability ●LatestgenerationHDMOSTMprocess ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandreson

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IXSX35N120BD1

HIGHVOLTAGEIGBTWITHDIODE

HighVoltageIGBTwithDiode ShortCircuitSOACapability Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchopper ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGQ35N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,35A

  • 開關(guān)能量:

    900μJ(開),3.8mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    40ns/270ns

  • 測試條件:

    960V,35A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 75A 400W TO3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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TO-3P
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TO-3P
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更多IXGQ35N120BD1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 10:18:00