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IXGT20N60B

HiPerFAST IGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

IXGT20N60BD1

HiPerFAST IGBT with Diode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?Internationalstandardpackages ?HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?HiPerFASTTMHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?Unin

IXYS

IXYS Corporation

IXGT20N60BD1

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 150W TO268

IXYS

IXYS Corporation

IXKC20N60C

CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS220Package

CoolMOS?PowerMOSFETinISOPLUS220?Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?

IXYS

IXYS Corporation

IXKC20N60C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Highpowerdissipation ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverters ?HighCurrentSwitchingApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH20N60

MegaMOSFET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTM20N60

MegaMOSFET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTM20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

JCS20N60ANH

Highefficiencyswitchmodepowersupplies

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXGT20N60B

  • 功能描述：

    IGBT 40A 600V TO-268

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    HiPerFAST™

  • 標準包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標準

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-268
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
IXYS
24+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268D3PAK
21368
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
IXYS/艾賽斯
24+
TO268
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
 詢價
更多IXGT20N60B供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 9:00:00

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