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IXSK35N120BD1分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXSK35N120BD1
廠商型號

IXSK35N120BD1
參數屬性

IXSK35N120BD1 封裝/外殼為TO-264-3，TO-264AA；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1200V 70A 300W TO264
功能描述

HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IGBT 1200V 70A 300W TO264
封裝外殼

TO-264-3，TO-264AA
文件大小

118.52 Kbytes
頁面數量

2 頁
生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-4 19:56:00

IXSK35N120BD1規(guī)格書詳情

IXSK35N120BD1屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXSK35N120BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

High Voltage IGBT with Diode

Short Circuit SOA Capability

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC chopper

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    IXSK35N120BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.6V @ 15V，35A

  • 開關能量：

    5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    36ns/160ns

  • 測試條件：

    960V，35A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-264AA（IXSK）

  • 描述：

    IGBT 1200V 70A 300W TO264

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
24+
TO-3PL
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS
24+
TO-264
8866
詢價
IXYS
24+
TO-3PL
266
詢價
IXYS
2022+
TO-264AA(IXSK)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS
22+
TO-247AD
25000
只做原裝進口現貨,專注配單
 詢價
IXYS
23+
TO-264
8000
只做原裝現貨
 詢價
IXYS
23+
TO-264
7000
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
17+
TO-264
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價

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