訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>IXGQ28N120B>芯片詳情
IXGQ28N120B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號(hào):IXGQ28N120B品牌:IXYS
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
IXGQ28N120B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-3P-3 SC-65-3/TO-3P-3,SC-65-3的IXGQ28N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXGQ28N120B
- 制造商:
IXYS
- 類別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.5V @ 15V,28A
- 開關(guān)能量:
2mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
30ns/180ns
- 測(cè)試條件:
960V,28A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P
- 描述:
IGBT 1200V 50A 250W TO3P
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
相近型號(hào)
- IXGQ50N60B4D1
- IXGQ20N120BD1
- IXGQ50N60C4D1
- IXGQ20N120B
- IXGQ70N33T
- IXGQ20N120
- IXGQ70N33TB
- IXGQ200N30TCD1
- IXGQ70N33TCD1
- IXGQ200N30TBD1
- IXGQ76N30TC
- IXGQ85N30P2
- IXGQ200N30PB
- IXGQ85N33PCD1
- IXGQ180N33TCD1
- IXGQ180N33TC
- IXGQ85N33PDD1
- IXGQ180N33TB
- IXGQ86N30PBD1
- IXGQ180N30TCD1
- IXGQ86N30PCD1
- IXGQ180N30TC
- IXGQ86N60PC
- IXGQ180N30TB
- IXGQ90N27PB
- IXGQ170N30TC
- IXGQ170N30TBD1
- IXGQ90N30TC
- IXGQ170N30PCD1
- IXGQ90N33TB
- IXGQ170N30PB
- IXGQ90N33TBD1
- IXGQ160N30PB
- IXGQ90N33TC
- IXGQ160N30P2D1
- IXGQ90N33TCD1
- IXGQ160N30P
- IXGQ160N30
- IXGQ150N33TCD1
- IXGQ90N33TCD4
- IXGQ150N33TC
- IXGQ96N30P2
- IXGQ150N33TB
- IXGQ96N30T
- IXGQ150N30TCD1
- IXGQ96N30TB
- IXGQ150N30TC
- IXGQ96N30TBD1
- IXGQ150N30TB
- IXGQ96N30TCD1