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IXGX50N60BD1分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGX50N60BD1
廠商型號

IXGX50N60BD1

參數(shù)屬性

IXGX50N60BD1 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產品描述:IGBT 600V 75A 300W TO247

功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode
IGBT 600V 75A 300W TO247

文件大小

125.76 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2024-11-17 9:36:00

IXGX50N60BD1規(guī)格書詳情

Features

? International standard packages JEDEC TO-268 and PLUS247 (hole less TO-247)

? High frequency IGBT and antparallel FRED in one package

? New generation HDMOSTM process

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on fordrive simplicity

? Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

? Space savings (two devices on one package

? Easy to mount with 1 screw

IXGX50N60BD1屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。IXYS Corporation制造生產的IXGX50N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXGX50N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    1.5mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    50ns/200ns

  • 測試條件:

    480V,50A,2.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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PLUS247?3
9000
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IXYS/艾賽斯
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