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IXKC15N60C5中文資料IXYS數據手冊PDF規(guī)格書

IXKC15N60C5
廠商型號

IXKC15N60C5

功能描述

Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface

文件大小

119.38 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-16 18:41:00

IXKC15N60C5規(guī)格書詳情

Electrically isolated back surface

2500 V electrical isolation

N-Channel Enhancement Mode

Low RDSon, high VDSS MOSFET

Ultra low gate charge

Features

? Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- high power dissipation

- isolated mounting surface

- 2500 V electrical isolation

- low drain to tab capacitance (< 30 pF)

? Fast CoolMOS? power MOSFET 4th generation

- high blocking capability

- lowest resistance

- avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- low thermal resistance due to reduced chip thickness

? Enhanced total power density

Applications

? Switched mode power supplies(SMPS)

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Power factor correction (PFC)

? Welding

? Inductive heating

? PDP and LCD adapter

產品屬性

  • 型號:

    IXKC15N60C5

  • 功能描述:

    MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
22+
ISOPLUS220?
9000
原廠渠道,現貨配單
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晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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