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IXGX82N120B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGX82N120B3
廠商型號(hào)

IXGX82N120B3
參數(shù)屬性

IXGX82N120B3 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
功能描述

GenX3 1200V IGBTs
IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
文件大小

225.74 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 8:23:00

IXGX82N120B3規(guī)格書詳情

IXGX82N120B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGX82N120B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGX82N120B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，82A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    5mJ（開(kāi)），3.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    30ns/210ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，80A，2 歐姆，15V

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
21368
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
PLUS-247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
原裝正品
23+
TO-252
67818
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
 詢價(jià)
IXYS
22+
8-PDIP
3615
公司現(xiàn)貨絕對(duì)原裝
 詢價(jià)
IXYS艾賽斯
1627+
DIP8
202
代理品牌
 詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)

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