首頁>IXST30N60C>詳情

IXST30N60C 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXST30N60C參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXST30N60C品牌：IXYS

只做進口原裝,終端工廠免費送樣

IXST30N60C是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產封裝NA/TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA的IXST30N60C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXST30N60C

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內容頁數(shù)：

    4 頁

  • 文件大?。?/span>

    131.5 kb

  • 資料說明：

    High Speed IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    IXST30N60C

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    700μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    30ns/90ns

  • 測試條件：

    480V，30A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 600V 55A 200W TO268

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市永貝爾科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機：

    15869838552

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83214746

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場68樓6811A

相近型號