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IXST30N60C	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	High Speed IGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST30N60C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 55A 200W TO268	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST30N60CD1	文件：72.89 Kbytes Page：2 Pages	Short Circuit SOA Capability IGBT/DiodeCombi-Pack SserieswithSCSOAcapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：372.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60P	文件：276.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTV30N60PS	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K30N60	文件：324.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
K30N60HS	文件：435.61 Kbytes Page：14 Pages	HIGHSPEEDIGBTINNPT-TECHNOLOGY HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF30N60KDA	文件：1.57088 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGF30N60PA	文件：1.41679 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MGW30N60	文件：214.5 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGY30N60D	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXST30N60C
制造商：
IXYS
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
PT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，30A
開關(guān)能量：
700μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
30ns/90ns
測試條件：
480V，30A，4.7 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝：
TO-268AA
描述：
IGBT 600V 55A 200W TO268

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	IXST30N60C	IXYS	24+	TO-268	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IXST30N60C	IXYS	23+	TO-268	10700	全新原裝	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IXST30N60C	IXYS	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	IXST30N60C	IXYS/艾賽斯	23+	TO-268	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXST30N60C	IXYS	22+	TO268	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXST30N60C	IXYS	21+	TO268	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IXST30N60C	IXYS/艾賽斯	23+	TO-268	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXST30N60C	IXYS	23+	TO268	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXST30N60C	IXYS	2022+	TO-268	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXST30N60C	IXYS	24+	TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價

更多IXST30N60C供應商更新時間2024-12-25 15:30:00

產(chǎn)品屬性

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