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IXTA200N085T

isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.0m?@VGS=10V ?Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverters ?HighCurrentSwi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA200N085T

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXTA200N085T7

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ●Ultra-lowOnResistance ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ●175°COperatingTemperature Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpo

IXYS

IXYS Corporation

IXTC200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH200N085

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH200N085T

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTP200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP-200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N085T

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTA200N085T

  • 功能描述：

    MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-263
100
詢(xún)價(jià)
IXYS
23+
TO-263-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IXYS
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
IXYS
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IXYS
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢(xún)價(jià)
IXYS
23+
TO-263-3
67828
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
2022+
TO-263
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢(xún)價(jià)
IXYS
24+
TO-263
12300
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
更多IXTA200N085T供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-17 10:00:00

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