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IXTH200N085T

TrenchMV Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXTA200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.0m?@VGS=10V ?Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverters ?HighCurrentSwi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA-200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXTC200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH200N085

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP-200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N085T

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTH200N085T

  • 功能描述：

    MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-247
90
詢價
IXYS
1503+
TO-247
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
ir
2023+
TO-247
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
IXYS
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價
IXYS/艾賽斯
2022+
TO-247
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價
IXYS
24+
TO-247
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
更多IXTH200N085T供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 10:00:00

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