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IXTH12N100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IXTH12N100
廠商型號(hào)

IXTH12N100

參數(shù)屬性

IXTH12N100 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

功能描述

MegaMOS FET
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

106.76 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 20:00:00

IXTH12N100規(guī)格書詳情

IXTH12N100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXTH12N100晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

N-Channel Enhancement Mode

Features

● International standard packages

● Low RDS(on) HDMOS? process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

● Fast switching times

Applications

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

● Motor controls

● Uninterruptible Power Supplies (UPS)

● DC choppers

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXTH12N100Q

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    Q Class

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    12A(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXTH)

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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