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IXTH12N100L中文資料無錫固電數據手冊PDF規(guī)格書

IXTH12N100L
廠商型號

IXTH12N100L

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

377.22 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-11 20:00:00

IXTH12N100L規(guī)格書詳情

·FEATURES

·Drain Source Voltage-

: VDSS=1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) =1.3Ω(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS

·Switching applications

產品屬性

  • 型號:

    IXTH12N100L

  • 功能描述:

    MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
23+
NA/
8675
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
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IXYS/艾賽斯
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現貨,可提供技術支持、樣品免費!
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IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現貨配單
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IXYS
24+
TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
2022
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80000
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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IXYS/艾賽斯
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IXYS
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IXYS
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