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IXTH50N30中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH50N30
廠商型號

IXTH50N30

功能描述

Advance Technical Information High Current Power MOSFET

文件大小

587.08 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 20:18:00

IXTH50N30規(guī)格書詳情

High Current Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH50N30

  • 功能描述:

    MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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