首頁>IXXH40N65B4H1>詳情

IXXH40N65B4H1 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXXH40N65B4H1參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXXH40N65B4H1品牌：IXYS/艾賽斯

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

IXXH40N65B4H1是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產封裝TO247/TO-247-2的IXXH40N65B4H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXXH40N65B4H1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    181.51 kb

  • 資料說明：

    XPTTM 650V IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    IXXH40N65B4H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX4?, XPT?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    1.4mJ（開），560μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    28ns/144ns

  • 測試條件：

    400V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-2

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 455W TO247AD

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經(jīng)理

  • 手機：

    17302670410

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

相近型號