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IXXX100N60C3H1

XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode

ExtremeLightPunchThrough IGBTfor20-60kHzSwitching Features ?Optimizedfor20-60kHzSwitching ?SquareRBSOA ?AvalancheRated ?ShortCircuitCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?HighCurrentHandlingCapability Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequiremen

IXYS

IXYS Corporation

IXXX100N60C3H1

Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXXX100N60C3H1

Package：TO-247-3 變式；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 170A 695W PLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXXK100N60C3H1

IGBT

DESCRIPTION ·ShortCircuitCapability ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·HighCurrentHandlingCapability APPLICATIONS ·PowerInverters ·UPS ·MotorDrives ·WeldingMachines ·SMPS ·HighFrequencyPowerInverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXXK100N60C3H1

XPTTM600VGenX3TMw/Diode

ExtremeLightPunchThrough IGBTfor20-60kHzSwitching Features ?Optimizedfor20-60kHzSwitching ?SquareRBSOA ?AvalancheRated ?ShortCircuitCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?HighCurrentHandlingCapability Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequiremen

IXYS

IXYS Corporation

IXXKX100N60C3H1

ExtremeLightPunchThroughIGBTfor20-60kHzSwitching

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXXX100N60C3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?, XPT?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，70A

  • 開關(guān)能量：

    2mJ（開），950μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/90ns

  • 測試條件：

    360V，70A，2 歐姆，15V

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 600V 170A 695W PLUS247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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原裝正品，支持實(shí)單
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IXXX100N60C3H1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-3 10:18:00

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