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IXYH8N250CHV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IXYH8N250CHV |
| 參數(shù)屬性 | IXYH8N250CHV 封裝/外殼為T(mén)O-247-3 變式；包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT |
| 功能描述 | High Voltage XPT IGBT |
| 文件大小 |
255.92 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-2 19:18:00 |
IXYH8N250CHV規(guī)格書(shū)詳情
IXYH8N250CHV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYH8N250CHV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXYH8N250CHV
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
XPT?
- 包裝：
托盤(pán)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，8A
- 開(kāi)關(guān)能量：
2.6mJ（開(kāi)），1.07mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
11ns/180ns
- 測(cè)試條件：
1250V，8A，15 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247HV
- 描述：
IGBT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
64000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
21+ |
TO247 (IXYH) |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA |
12730 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO247 (IXYH) |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
TO247 (IXYH) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
