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IXYJ20N120C3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYJ20N120C3D1
廠商型號(hào)

IXYJ20N120C3D1

參數(shù)屬性

IXYJ20N120C3D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 21A 105W TO247

功能描述

1200V XPTTM IGBT
IGBT 1200V 21A 105W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

224.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 22:36:00

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IXYJ20N120C3D1規(guī)格書詳情

IXYJ20N120C3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYJ20N120C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYJ20N120C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    1.3mJ(開),500μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20ns/90ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISO247

  • 描述:

    IGBT 1200V 21A 105W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
11+
TO-264
19
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價(jià)
IXYS
21+
ISO247?
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
NA
25630
原裝正品
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
ISOPLUS247
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
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現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
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IXYS/艾賽斯
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NA
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只做原裝,質(zhì)量保證
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IXYS
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TO-264-3
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專注IXYS品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
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IXYS/艾賽斯
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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IXYS
22+
ISO247?
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)