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IXYP8N90C3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYP8N90C3D1
廠商型號

IXYP8N90C3D1

參數(shù)屬性

IXYP8N90C3D1 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 20A 125W TO220

功能描述

900V XPTTM IGBT
IGBT 900V 20A 125W TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

336.5 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-21 18:11:00

IXYP8N90C3D1規(guī)格書詳情

IXYP8N90C3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYP8N90C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXYP8N90C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    460μJ(開),180μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    16ns/40ns

  • 測試條件:

    450V,8A,30 歐姆,15V

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 900V 20A 125W TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價
IXYS
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
IXYS/Littelfuse
2023
TO-220
7572
原廠代理渠道,正品保障
詢價
IXYS
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
詢價
IXYS
18+
NA
3087
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
詢價
IXYS
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
24+
N/A
64000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
IXYS
21+
TO220AB
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價