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IXYQ30N65B3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXYQ30N65B3D1
廠商型號(hào)

IXYQ30N65B3D1
參數(shù)屬性

IXYQ30N65B3D1 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
功能描述

Advance Technical Information
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
文件大小

201.86 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-6 18:43:00

IXYQ30N65B3D1規(guī)格書(shū)詳情

IXYQ30N65B3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYQ30N65B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXYQ30N65B3D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?, XPT?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    830μJ（開(kāi)），640μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/87ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-3P
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
24+
MODULE
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨
 詢價(jià)
Littelfuse/IXYS
23+
TO-3P
600
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊
 詢價(jià)
DACO
23+
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
原廠
2023+
模塊
600
專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IXYS
23+
ISOPLUS247?
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
21+
ISOPLUS247?
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2015
模塊
300
十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-3P
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)

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