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IXZ210N50L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

IXZ210N50L
廠商型號

IXZ210N50L

參數(shù)屬性

IXZ210N50L 封裝/外殼為6-SMD 模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:N-CHANNEL RF MOSFET 175MH

功能描述

RF Power MOSFET
N-CHANNEL RF MOSFET 175MH

封裝外殼

6-SMD 模塊

文件大小

326.19 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 16:59:00

IXZ210N50L規(guī)格書詳情

IXZ210N50L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXZ210N50L晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXZ210N50L

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 頻率:

    175MHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    10A

  • 功率 - 輸出:

    200W

  • 封裝/外殼:

    6-SMD 模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DE275

  • 描述:

    N-CHANNEL RF MOSFET 175MH

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