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IXYX100N65B3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
IXYX100N65B3D1 |
| 參數(shù)屬性 | IXYX100N65B3D1 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 188A 1150W PLUS247 |
| 功能描述 | Advance Technical Information |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
227.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-20 22:04:00 |
IXYX100N65B3D1規(guī)格書詳情
IXYX100N65B3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYX100N65B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXYX100N65B3D1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
GenX3?, XPT?
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，70A
- 開關(guān)能量：
1.27mJ（開），1.37mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
29ns/150ns
- 測試條件：
400V，50A，3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLUS247?-3
- 描述：
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
PLUS247?3 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
PLUS247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IXYS/Littelfuse |
2023 |
TO-247 |
4200 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價 | ||
IXYS |
2022+ |
PLUS247?-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
PLUS247 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IXYS |
21+ |
N/A |
6113 |
全新原裝虧本出 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
PLUS247 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 |
