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JAN1N1190中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

JAN1N1190
廠商型號

JAN1N1190
參數(shù)屬性

JAN1N1190 封裝/外殼為DO-203AB，DO-5，接線柱；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單；產(chǎn)品描述：DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
功能描述

Military Silicon Power Rectifier
文件大小

113.39 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-19 16:21:00

JAN1N1190規(guī)格書詳情

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/297

? Glass Passivated Die

? Glass to Metal Seal Construction

? 500 Amps Surge Rating

? VRRM to 1000 Volts

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JAN1N1190

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    35A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AB，DO-5，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-5

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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