JAN2N6353分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
JAN2N6353 |
參數(shù)屬性 | JAN2N6353 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 150V 5A TO66 |
功能描述 | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
文件大小 |
55.76 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-6 18:09:00 |
JAN2N6353規(guī)格書詳情
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/472
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
JAN2N6353
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/472
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 10mA,5A
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 5A,5V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-213AA,TO-66-3
- 供應商器件封裝:
TO-66(TO-213AA)
- 描述:
TRANS NPN DARL 150V 5A TO66
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SPC |
589220 |
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
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Microchip Technology |
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TO-213AA,TO-66-3 |
30000 |
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品 |
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MICROSEMI |
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原裝正品 |
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Microsemi Corporation |
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TO-66(TO-213AA) |
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Microchip Technology |
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TO-213AA TO-66-3 |
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SPC |
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MOT |
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TO-66 |
3456 |
優(yōu)勢庫存 |
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