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JANS2N3637 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) MICROSEMI/美高森美

JANS2N3637

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  • 廠家型號(hào)：

    JANS2N3637

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI

  • 庫存數(shù)量：

    13500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-39

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-2 13:44:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：JANS2N3637品牌：MICROSEMI

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  • 芯片型號(hào)：

    JANS2N3637

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    2 頁

  • 文件大小：

    57.89 kb

  • 資料說明：

    PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    JANS2N3637

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/357

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 50mA，10V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-205AD，TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-39

  • 描述：

    TRANS PNP 175V 1A TO39

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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