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JANSM2N3637UB/TR

包裝:散裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3637

SILICONPNPTRANSISTOR

FEATURES ?HighVoltageSwitching ?LowPowerAmplifierApplications ?HermeticTO39Package APPLICATIONS: ?GeneralPurpose ?HighSpeedSaturatedSwitching

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司

2N3637

PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS

PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS 2N3635and2N3637ArePNPSiliconTransistrosForHighVoltageSwitchingandLowPowerAmplifier.

CDIL

Continental Device India Limited

2N3637

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637

RADIATIONHARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637

PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637

GENERALPURPOSETRANSISTOR(PNPSILICON)

GENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICON

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導體公司

2N3637

PNPSILICONTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N3637

LowPowerTransistors

LowPowerTransistors PNPSilicon Features ?MIL?PRF?19500/357Qualified ?AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N3637

SILICONPLANARRFTRANSISTORS

SILICONPLANARRFTRANSISTORS The2N3636and2N3637arePNPtransistorsmountedinTO-39metalcase. TheyareintendedforhighvoltageswitchingandLowPowerAmplifier. CompliancetoRoHS

COMSET

Comset Semiconductor

2N3637

SIPNPPOWERBJT

Metal-CanHigh-Voltage/High-CurrentTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N3637

PNPSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3637isaPNPSiliconTransistor,mountedinahermeticallysealedTO-39package,designedforgeneralpurposeamplifierandhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N3637

PNPSILICONTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N3637CSM

PNPSILICONTRANSISTORINAHERMETICALLYSEALEDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS

SEME-LAB

Seme LAB

2N3637CSM

PNPSILICONTRANSISTORINAHERMETICALLYSEALEDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS

SEME-LAB

Seme LAB

2N3637DCSM

DUALPNPSILICONTRANSISTORS

SEME-LAB

Seme LAB

2N3637L

LowPowerTransistors

LowPowerTransistors PNPSilicon Features ?MIL?PRF?19500/357Qualified ?AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N3637L

RADIATIONHARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637L

PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637L

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JANSM2N3637UB/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/357

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,無引線

  • 供應商器件封裝:

    UB

  • 描述:

    RH SMALL-SIGNAL BJT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多JANSM2N3637UB/TR供應商 更新時間2024-12-28 10:02:00