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JANSR2N7666T1

Radiation Hardened Power MOSFET Thru-Hole (TO-254AA Low Ohmic) -200V, -45A, P-channel, R9 Superjunction Technology

Features ?Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90.5MeV·cm2/mg) ?LowRDS(on) ?ImprovedSOAforlinearmodeoperation ?Fastswitching ?Lowtotalgatecharge ?Simpledriverequirements ?Hermeticallysealed ?Electricallyisolated ?Ceramiceyelets ?Lightweight ?ESD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

JANSF2N7666T1

RadiationHardenedPowerMOSFETThru-Hole(TO-254AALowOhmic)-200V,-45A,P-channel,R9SuperjunctionTechnology

Features ?Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90.5MeV·cm2/mg) ?LowRDS(on) ?ImprovedSOAforlinearmodeoperation ?Fastswitching ?Lowtotalgatecharge ?Simpledriverequirements ?Hermeticallysealed ?Electricallyisolated ?Ceramiceyelets ?Lightweight ?ESD

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ST
17
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STMicroelectronics
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SOP64
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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23+
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24+
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ANY
新
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
MICROSEMI
638
原裝正品
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更多JANSR2N7666T1供應商 更新時間2025-2-22 14:00:00

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