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JANTXV2N6052分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

JANTXV2N6052
廠商型號(hào)

JANTXV2N6052

參數(shù)屬性

JANTXV2N6052 封裝/外殼為T(mén)O-204AA,TO-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO3

功能描述

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

文件大小

57.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Micrel Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Micrel麥瑞半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

麥瑞半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-27 8:24:00

JANTXV2N6052規(guī)格書(shū)詳情

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/501

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    JANTXV2N6052

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/501

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 6A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 12A TO3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Microsemi Corporation
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