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TK10E80W

Marking：K10E80W；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.46Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.45mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多K10E80W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 16:15:00

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