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K20A60U

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS??

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=12S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

K20A60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

KCU20A60

FRED

NI

National Instruments Inc.

KCU20A60

FRD-LowForwardVoltageDrop

ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES *SimilartoTO-247ACCase *DualDiodes–CathodeCommon *Ultra–FastRecovery *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

MBR20A60CTH

PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

MBR20A60FCTH

PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

SBL20A60

LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SBL20A60-C

LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SBL20A60F

LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SBL20A60F

LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOS
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更多K20A60U供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 13:30:00