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K4H511638D-UCSLASHLB3

512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

K4H511638D-UCSLASHLB3

512Mb D-die DDR SDRAM Specification

KeyFeatures ?VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 ?VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 ?Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle ?Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) ?Fourbanksoperation ?Dif

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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更多K4H511638D-UCSLASHLB3供應商 更新時間2025-2-25 18:26:00

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